دانلود مقاله Analysis of a Source Hetrojunction LDMOS Device with Strained Silicon Channel با word دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد دانلود مقاله Analysis of a Source Hetrojunction LDMOS Device with Strained Silicon Channel با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله Analysis of a Source Hetrojunction LDMOS Device with Strained Silicon Channel با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن دانلود مقاله Analysis of a Source Hetrojunction LDMOS Device with Strained Silicon Channel با word :

سال انتشار: 1390

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: 5

نویسنده(ها):

Vala Fathipour – Department of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran
Mohamad Ali Malakoutian –
Mortez Fathipour –

چکیده:

In this paper we propose a novel power MOSFET employing a source and drain hetrojunction as well as a thin strained silicon layer at the top of the channel and N-Drift regions. We discuss the physics involved in the operation of this device. Analysis using a 2D device simulator indicates improvements of 36.6%, 22.6% and 10% in current drivability, transconductance and cut off frequency respectively as compared with the traditional LDMOS structure. However, these improvements are accompanied by a suppression of 10% in the break down voltage