دانلود مقاله Proving Existence One Suitable Oxide Phase Simultaneously With Deposition for Fabrication Ti/pدرSi Schottky Diode by DC Magnetron Sputtering با word دارای 9 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد دانلود مقاله Proving Existence One Suitable Oxide Phase Simultaneously With Deposition for Fabrication Ti/pدرSi Schottky Diode by DC Magnetron Sputtering با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله Proving Existence One Suitable Oxide Phase Simultaneously With Deposition for Fabrication Ti/pدرSi Schottky Diode by DC Magnetron Sputtering با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن دانلود مقاله Proving Existence One Suitable Oxide Phase Simultaneously With Deposition for Fabrication Ti/pدرSi Schottky Diode by DC Magnetron Sputtering با word :

سال انتشار: 1393
محل انتشار: دومین همایش ملی پژوهش های کاربردی در ریاضی و فیزیک
تعداد صفحات: 9
چکیده:

In this paper, Ti/p- si schottky diode has been fabricated by deposition a titanium film on p-si substrate by dc magnetron sputtering. Electrical properties schottky junction inclusive 3 main parameters: ideality factor (n), series resistance (Rs) and barrier height (b) were determined by 3 analysis methods: current-voltage, Cheung function and Norde function. As result the calculated values outcome by 3 analysis methods averagely were obtained equal to 2.475, 27.07k and 0.88 ev, respectively.Direct calculation series resistance and compare that with the average value obtain from 3 analysis methods that mentioned illustrate that without attention to XRD analysis can deduce at least one oxide phase was formed on Ti layer.